簡要描述：麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相，是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外，SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術(shù)，解決了隔離供電的問題。
更新時間：2025-07-09
產(chǎn)品型號： MOIP200P
所屬分類：麥科信示波器
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麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭
麥科信MICSIG SigOFIT MOIP系列光隔離探頭
帶寬：DC-1GHz
共模電壓： 85kVpk
直流增益精度：1%
共模抑制比：高達180dB
產(chǎn)品概述：
基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相，
是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外，SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術(shù)，解決了隔離供電的問題。
產(chǎn)品特點：
最真實的信號呈現(xiàn)
SigOFIT光隔離探頭具有共模抑制比，在100MHz時CMRR高達128dB、在1GHz時CMRR仍然高達108dB，是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。
測試精度與穩(wěn)定性
作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判，測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭，具有幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于0.45mVrms，預熱5min后零點漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半導體的最佳測試手段
第三代半導體器件由于導通與關(guān)斷時間很短，信號具有更快的上升沿和下降沿，信號中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號沒有額外多余成分。
測試氮化鎵（GaN）不炸管
SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容最小僅1pF，測試氮化鎵（GaN）十分安全。
使用靈活，高效便捷
SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便；探頭響應快，上電即測，校準時間小于1秒，校準時，無需斷開測試連接，可實時保證精確的信號輸出。
真正光隔離技術(shù)
用激光傳輸信號+用激光傳輸電能（不用電池，電源更純凈），可365天不間斷測試。
測試量程更寬
不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號，SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器，可以測試±0.01V至±6250V的差模信號，并實現(xiàn)滿量程輸出，達到很高的信噪比。
應用場景
對其他電壓探頭所測結(jié)果準確性、真實性存在質(zhì)疑時，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。
電源設備評估、電流并聯(lián)測量、EMI 和 ESD 故障排除
電機驅(qū)動設計、功率轉(zhuǎn)換器設計 、電子鎮(zhèn)流器設計
氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設備的設計與分析
高壓高帶寬測試應用的安全隔離測試
逆變器、UPS及開關(guān)電源的測試
寬電壓、寬帶測試應用
各種浮地測試
產(chǎn)品參數(shù)：
產(chǎn)品型號 | MOIP100P | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP800P | MOIP1000P |
帶 寬 | 100MHz | 200MHz | 350MHz | 500MHz | 800MHz | 1GHz |
上升時間 | ≤3.5ns | ≤1.75ns | ≤1ns | ≤700ps | ≤438ps | ≤350ps |
共模抑制比 | DC: 180dB 100MHz: 128dB | DC: 180dB 200MHz: 122dB | DC: 180dB 350MHz: 118dB | DC: 180dB 500MHz: 114dB | DC: 180dB 800MHz: 110dB | DC: 180dB 1GHz: 108dB |
差模電壓 | ±6250V | ±5000V | ||||
底 噪 | <0.45mVrms | <0.45mVrms | ||||
直流增益精度 | 1% | |||||
共模電壓 | 85kVpk | |||||
接 口 | 通用BNC | |||||
麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭
